包装 : 带卷（TR） 可替代的包装 FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能 : 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 漏源极电压（Vdss） : 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 100A（Tc） 不同Id，Vgs时的RdsOn（ 值） : 1.4 毫欧 @ 25A，10V 不同Id时的Vgs（th）（ 值） : 2.2V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 96nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss） : 6661pF @ 20V 功率- 值 : 238W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装 : LFPAK56，Power-SO8